传台积电正研发3nm和2nm工艺，2023年月产或提升至10万片

9月25日，有消息称在芯片制程工艺方面走在行业前列的台积电，正在研发更先进的3nm和2nm工艺，其中3nm计划在2021年风险试产，2022年下半年大规模投产。　

目前，台积电正在按计划推进3nm工艺在2022年下半年大规模投产，设定的产能是每月5.5万片晶圆，5.5万片是投产初期的月产能，随后就将逐步提升，2023年的月产能将提升到10万片晶圆。

资料显示，台积电是全球芯片制造技术最先进的厂商，其拿下了全球一半以上的芯片订单，苹果、华为以及高通等都是台积电的客户，两者在2019年就给台积电贡献了约900亿元的营收。

除苹果包下首波产能外，第二、三波客户也已入列，若无重大危机干扰，台积电业绩将如预期保持逐年增长。

据悉，7月中旬，台积电就正式对外表示，台积电在2nm工艺的芯片方面找到了突破口，将会采用采用环绕栅极晶体管技术（GAA）。

最主要的是，台积电董事长刘德音透露他们可能扩建台中的工厂，增加2nm工艺的产能。同时，台积电有望在 2023 年中期进入 2nm 工艺的试生产阶段，并于一年后开始批量生产。

也就是说，台积电将会在2024年量产2nm工艺的芯片。

台积电的2nm工艺采用了多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构，这种架构能解决3nm和5nm中鳍式场效晶体管（FinFET）架构的一些缺陷，台积电也是目前全球首家具备2nm工艺的半导体企业。

此外，台积电在先进工艺方面本身就领先，比三星早量产了5nm的芯片。在3nm制程的芯片上，台积电也将领先，因为其表示将会在2021年试生产。

另外，台积电还表示，3nm制程的芯片预计在2021年试产，2022年下半年量产，相比5nm制程的芯片，3nm制程的芯片，速度提升15%，功耗降低30%，电晶体密度提升70%。

数据显示，台积电14nm工艺以下的芯片中，美国技术占比低于25%，但在7nm工艺以下的芯片中，美国技术占比就降至9%。如今，台积电即将试生产3nm的芯片，而2nm的芯片也将在2024年量产，这意味着2/3nm的芯片中，美国技术占比会更低。

也就是说，台积电通过技术进步，彻底摆脱美国技术并不是没有可能，一旦彻底放弃美国技术，台积电或将会继续出货华为，到时业务量恢复上涨趋势也不无可能。